フォトダイオードパワーディテクタ
当社のフォトダイオードベースのレーザーパワーディテクタは、可視および近IR領域における低レーザー出力レベルの測定に最適な機器です。わずか数ピコワットの低出力測定が、当社の高感度センサおよび精密エレクトロニクスで可能です。
フォトダイオードは入射波長に非常に左右されやすい吸光率を有するため、そのスペクトル応答が天然フィルタとして作用し、不要な光源による雑音を遮断します。
レーザーパワーフォトディテクタは、サーマルパワーディテクタに比べて高速で、温度の影響を受けにくくなっています。
減光フィルタと合わせて販売するPHシリーズのモデル(製品名に-OD を含むもの)は、減衰器搭載モデル、非搭載モデルのどちらも較正済で、較正済スペクトル領域のすべての波長に対応します。
![PH100-Si-HA-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/c5695597/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH100-Si-HA-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 36 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
![PH100-Si-HA-OD1-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/72358b35/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH100-Si-HA-OD1-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 300 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
![PH100-Si-HA-OD2-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/af7f6451/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH100-Si-HA-OD2-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 750 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
![PH100-SiUV-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/453730c3/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH100-SiUV-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 4 mW
冷却: 対流
吸収材: UVシリコン
![PH100-SiUV-OD.3-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/707cc0df/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH100-SiUV-OD.3-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 16 mW
冷却: 対流
吸収材: UVシリコン
![PH100-SiUV-OD1-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/3109f54b/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH100-SiUV-OD1-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 38 mW
冷却: 対流
吸収材: UVシリコン
![PH20-Ge-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/a1d203b9/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH20-Ge-D0
開口部: 5 mm Ø
最大出力: 30 mW
冷却: 対流
吸収材: ゲルマニウム
![PH20-Ge-OD1-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/57e4a60a/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH20-Ge-OD1-D0
開口部: 5 mm Ø
最大出力: 300 mW
冷却: 対流
吸収材: ゲルマニウム
![PH20-Ge-OD2-D0](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/a91e22ec/1_0.jpg?quality=75&width=500&upscale=false)
PH20-Ge-OD2-D0
開口部: 5 mm Ø
最大出力: 500 mW
冷却: 対流
吸収材: ゲルマニウム
![TRAP7-Si-C-BNC](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/44feca48/TRAP7-Si_web.png?quality=75&width=500&upscale=false)
TRAP7-Si-C-BNC
開口部: 7 mm Ø
最大出力: 1 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
![TRAP7-Si-D-BNC](/remote.axd?https://genteceo.blob.core.windows.net/prod/eb525aee/TRAP7-Si_web.png?quality=75&width=500&upscale=false)
TRAP7-Si-D-BNC
開口部: 7 mm Ø
最大出力: 1 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン