フォトダイオードパワーディテクタ
当社のフォトダイオードベースのレーザーパワーディテクタは、可視および近IR領域における低レーザー出力レベルの測定に最適な機器です。わずか数ピコワットの低出力測定が、当社の高感度センサおよび精密エレクトロニクスで可能です。
フォトダイオードは入射波長に非常に左右されやすい吸光率を有するため、そのスペクトル応答が天然フィルタとして作用し、不要な光源による雑音を遮断します。
レーザーパワーフォトディテクタは、サーマルパワーディテクタに比べて高速で、温度の影響を受けにくくなっています。
減光フィルタと合わせて販売するPHシリーズのモデル(製品名に-OD を含むもの)は、減衰器搭載モデル、非搭載モデルのどちらも較正済で、較正済スペクトル領域のすべての波長に対応します。
PH100-Si-HA-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 36 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
PH100-Si-HA-OD1-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 300 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
PH100-Si-HA-OD2-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 750 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
PH100-SiUV-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 4 mW
冷却: 対流
吸収材: UVシリコン
PH100-SiUV-OD.3-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 16 mW
冷却: 対流
吸収材: UVシリコン
PH100-SiUV-OD1-D0
開口部: 10 mm Ø
最大出力: 38 mW
冷却: 対流
吸収材: UVシリコン
PH20-Ge-D0
開口部: 5 mm Ø
最大出力: 30 mW
冷却: 対流
吸収材: ゲルマニウム
PH20-Ge-OD1-D0
開口部: 5 mm Ø
最大出力: 300 mW
冷却: 対流
吸収材: ゲルマニウム
PH20-Ge-OD2-D0
開口部: 5 mm Ø
最大出力: 500 mW
冷却: 対流
吸収材: ゲルマニウム
TRAP7-Si-C-BNC
開口部: 7 mm Ø
最大出力: 1 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン
TRAP7-Si-D-BNC
開口部: 7 mm Ø
最大出力: 1 mW
冷却: 対流
吸収材: シリコン